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电子元器件详细资料 » IC[27151] » SIHF12N60E-E3
型号:SIHF12N60E-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-220-3 整包描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
系列E 系列
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流_连续漏极(Id)0a025000C12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C380 毫欧 @ 6A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs58nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds937pF @ 100V
功率_最大147W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
供应商设备封装TO-220 整包
包装散装

供应商

深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
深圳市恒天华科技有限公司邓0755-82560927
深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
深圳市中新永盛科技有限公司朱小姐0755-83242762 83211840
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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SIHF12N60E-E3相关型号

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